报告题目：氮化镓射频功率器件的研究与应用 (Development and Applications of GaN RF Power Devices)

报 告 人：敖金平 教授（江南大学物联网工程学院）

报告时间：2024年4月12日（周五）下午4:00

报告地点：物理科学与技术学院D-505多功能厅

报告摘要：

氮化镓是最重要的宽禁带半导体之一，已经用在短波长光电器件上，也将是下一代高频、高功率和高温电子器件的关键材料。基于二维电子气结构所具有的高饱和速度、高电子浓度，AlGaN/GaN异质结构更是被认为是发展微波毫米波器件和单片集成电路最有希望的材料。由于GaN是同时具备高速（太赫兹领域）和高电压（1000V前后）两个优点的唯一半导体，因此在开发射频功率器件方面吸引了很多的注意力。本报告将介绍本团队在氮化镓射频功率器件的研究与应用。特别作为新的应用例子，设计和制造了GaN肖特基二极管(SBDs)和微波整流器，用于低功率微波无线能量传输。源于优秀的二极管器件性能和微波电路设计，在工作频率905 MHz和输入功率23 dBm的条件下，RF/DC转换效率达到92%。在2.45 GHz和输入功率25 dBm的条件下，RF/DC转换效率达到91%。5.8 GHz的RF/DC转换效率也达到80%以上。在905 MHz，进行了传输距离15米的微波无线电能传输实验。

报告人简介：

敖金平，江南大学教授，博士生导师，国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员。1989年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师，从事 GaAs高速电子器件、集成电路和光电集成电路的研究工作。2001年赴日本国立德岛大学工作，从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。2012年起任该大学大学院技术与科学研究部准教授。2016年入选国家高层次人才计划，任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。作为项目负责人，完成了国家十三五重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“GaN基新型电力电子器件关键技术”项目。2022年起加入江南大学物联网工程学院，任二级教授，博士生导师。在国际学术期刊和国际会议上发表论文300多篇，拥有三十多项发明专利。获电子工业部科技进步奖三等奖、陕西省科学技术奖一等奖，广东省科学技术奖二等奖和中国电子学会科学技术奖二等奖等奖项。

邀 请 人：熊锐 教授