报告题目：氧化物基阻变存储器

报告人：刘琦 研究员 （中国科学院微电子研究所）

报告时间：2016年06月23日上午10:00-11:00

报告地点：武汉大学物理学院多功能报告厅

报告摘要：

存储器是大数据时代信息产业的基础和代表国家核心竞争力的战略高技术产业。阻变存储器（RRAM）具有单元尺寸小、速度快、功耗低、器件结构简单、易于三维集成等优点受到学术界和产业界的广泛关注，被国际半导体路线图（ITRS 2009）选为优先发展的两种新型存储技术之一。然而，作为新型存储技术，RRAM在面向产业化的过程中仍然存在许多挑战需要克服。这个报告将介绍我们课题组在氧化物基RRAM的物理机制、器件性能调控和集成技术这三个方面开展的研究工作。

个人简介：

刘琦：中国科学院微电子研究所，研究员。长期从事新型非挥发存储技术和微纳加工技术的研究工作，在阻变存储器（RRAM）的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，参与了多项国家重大专项、863、973和自然科学基金等项目的研究工作。在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater., EDL和APL等期刊发表SCI论文80多篇，SCI他引2000多次，H因子22，拥有25项授权中国发明专利和2项美国发明专利。目前是Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Nanotechnol.、APL、EDL和TED等期刊的审稿人。

邀请人：廖蕾教授