近日，教育部颁发了高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）获奖证书，武汉大学物理科学与技术学院何军教授团队牵头完成的“后摩尔二维半导体电子器件基础研究”项目，荣获2022年度教育部高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）——自然科学奖一等奖。
武汉大学作为项目第一完成单位，主要完成人包括何军、廖蕾、喻学锋、邹旭明、文耀。项目面向新一代信息技术自主可控的国家重大战略需求，围绕新型二维半导体材料的物性调控及其电子、光电子器件开展系统研究。针对后摩尔二维电子器件中金属电极/二维半导体接触面临的费米钉扎效应，项目组阐明了费米钉扎与肖特基-莫特定律在电极接触中的权重，创新地发展了单原子隧穿层技术，大大降低了接触电阻，实现了欧姆接触。二维材料的表面原子几乎完全裸露，其环境稳定性是器件实际应用的重要前提。以稳定性方面最具代表性的黑磷为例，创新性通过“阳离子–π键”超分子相互作用，实现了黑磷的超强稳定性。在保证二维材料稳定性及其欧姆接触的基础上，发展了通用的异质结键合技术，构筑了高性能红外探测和存储器件，初步实现了从基础研究到产业应用。
高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）由教育部设立，旨在奖励开展科技创新、成果转化并在创新人才培养中做出突出贡献的高等学校教师和科技工作者，在全国高等学校具有重要影响力。
