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学术报告:氧化锌基透明导电薄膜工业化应用研究

来源:武汉大学物理科学与技术学院 发布时间:2017-07-20 19:20:54 点击次数:

报告题目:氧化锌基透明导电薄膜工业化应用研究

报告人:宋华平(日本大学理工学院,博士后研究员)
时间: 2017725 1500-1600
地点:新楼二楼阳光房
 
摘要:透明导电氧化物(TCO)薄膜材料具有较高的载流子浓度和光学禁带宽度,从而表现出低的电阻率和高的可见光透过率。纤锌矿结构的氧化锌(ZnO)是第三代宽禁带半导体材料中的重要代表,其光电性质可以通过掺杂(AlGaTi等)和生长工艺来调节,被广泛用作TCO薄膜和光电转化材料。相比于Sn掺杂的In2O3ITO)薄膜,ZnOTCO薄膜的最大问题是耐湿热性能不佳,其电阻率在湿热环境下变化率很大。本研究报告致力于解决ZnOTCO薄膜的耐湿热稳定性问题,并结合光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等分析手段,研究反应离子沉积法(RPDreactive plasma deposition)生长的ZnO薄膜的性质,以指导生长工艺和设备的改良工作。

个人简介:宋华平,日本大学理工学院,博士后研究员。2001-2005年就读于华中科技大学电子科学与技术系,2005-2010年在中科院半导体所材料重点实验室取得硕博连读学位后,先后在日本物质材料机构(NIMS),日本高知工科大学以及日本大学理工学院(目前)从事博士后研究工作。主要研究领域包括第三代宽禁带半导体氮化物及氧化物材料、器件的生长制备及相关设备研发、X射线分析方法研究(X射线光电子能谱仪、X射线吸收谱以及X射线衍射等)以及真空/高真空系统的设计。
 
欢迎感兴趣的老师和同学参加。

邀请人:余睿教授

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