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学术报告:密度泛函理论计算在材料物理中的应用:从记忆电阻到石墨烯

来源:武汉大学物理科学与技术学院 发布时间:2017-06-12 16:46:53 点击次数:

报告题目:密度泛函理论计算在材料物理中的应用:从记忆电阻到石墨烯
报告人:钟晓亮 博士后研究员(美国阿贡国家实验室材料科学部)
报告时间:2017年6月16日(周五)上午9:30
报告地点:物理学院新楼五楼多功能厅
报告摘要:
材料的性质归根结底由其原子的排列方式决定。密度泛函理论即第一性原理,从量子力学出发描述电子和原子核的相互作用,不用经验参数就能得到材料在力学,热学,光学,电学等诸方面性质。另一方面,密度泛函理论计算还可以同分子动力学和蒙特卡洛模拟等计算方法有机结合,对材料进行多尺度模拟。因此,密度泛函理论计算在推进先进材料的发展中具有不可替代的作用。记忆电阻和石墨烯可作为新型低功耗电子材料。本人将阐述记忆电阻和石墨烯在市场化中遇到的瓶颈,并以自己的科研经历为基础说明密度泛函理论计算在揭示器件工作原理和优化器件性能中起到的关键作用。
报告人简介:
钟晓亮,美国阿贡国家实验室材料科学部博士后研究员。2003年本科毕业于南京大学物理系。2007年起在密西根理工大学物理系攻读博士学位,主要研究石墨烯复合材料。2013年获博士学位,同年荣获美国物理学会研究生论坛杰出研究奖。2014年起在阿贡国家实验室担任博士后研究员,主要研究忆阻器,一种新型低功耗存储材料,其研究结果在2016年3月被“今日阿贡”新闻报道。
 

 

邀请人:余睿教授

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